半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292110
公開番号（公開出願番号）：特開平11-125831
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタなどやこれらの半導体素子を配置した半導体装置において、絶縁膜を介して上下間で電極を接続する際に、絶縁膜に開口されたコンタクトホールに起因する段差によって発生する電極の断線を抑制し、電極間の安定した接続を得る。【解決手段】下部電極と、該下部電極上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されるとともに、該絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して該下部電極と接続される上部電極とを有する半導体装置において、前記下部電極に接続される上部電極上を含む前記コンタクトホール領域に、導電性物質を充填する。

請求項（抜粋）：

下部電極と、該下部電極上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されるとともに、該絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して該下部電極と接続される上部電極とを有する半導体装置において、前記下部電極に接続される上部電極上を含む前記コンタクトホール領域には、導電性物質が充填されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

FI (3件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-126921
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090661 出願人：ソニー株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-025501 出願人：ソニー株式会社

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