特許

J-GLOBAL ID：200903061719080299

半導体電界吸収型光変調装置

発明者： 川村 博史 ,  今井 伸明 ,  小川 英一
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005634
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199778
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 従来例に比較して改善された変調効率を有し、より小さい消費電力で光変調することができる半導体電界吸収型光変調装置を提供する。【解決手段】 光源からの光信号を入力される高周波信号に従って変調する半導体電界吸収型光変調器20を備えた半導体電界吸収型光変調装置において、上記入力される高周波信号を、上記高周波信号を伝送する伝送線路の特性インピーダンスから特性インピーダンスよりも高い所定の終端インピーダンスにインピーダンス変換して上記半導体電界吸収型光変調器の入力端に出力するインピーダンス変換回路10と、上記半導体電界吸収型光変調器20の入力端に接続され、上記終端インピーダンスを有する終端抵抗RLとを備える。

請求項（抜粋）：

光源からの光信号を入力される高周波信号に従って変調する半導体電界吸収型光変調器を備えた半導体電界吸収型光変調装置において、上記入力される高周波信号を、上記高周波信号を伝送する伝送線路の特性インピーダンスから、上記特性インピーダンスよりも高い所定の終端インピーダンスにインピーダンス変換して上記半導体電界吸収型光変調器の入力端に出力するインピーダンス変換回路と、上記半導体電界吸収型光変調器の入力端に接続され、上記終端インピーダンスを有する終端抵抗とを備えたことを特徴とする半導体電界吸収型光変調装置。

IPC (3件)：

H01S 3/10 ,  G02F 1/01 ,  H01S 3/103

FI (3件)：

H01S 3/10 A ,  G02F 1/01 ,  H01S 3/103