特許

J-GLOBAL ID：200903061723175415

方位集積度及び粒成長性の良好な無方向性電磁鋼板及びその製造方法

発明者： 村上 健一 ,  久保田 猛 ,  脇坂 岳顕 ,  川又 竜太郎 ,  半澤 和文 ,  有田 吉宏 ,  佐藤 浩明
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105420
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294997
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 方位集積度に優れ、かつ及び粒成長性が良好で歪取焼鈍後に低鉄損である無方向性電磁鋼板およびそれを製造するための手段を提供する。【解決手段】 質量%で、C:0.0005% 以上0.010%以下、Mn:0.1% 以上0.5%以下、Si:0.6% 以上1.4%以下、Al:0.8% 以上1.6%以下、かつ1.6%≦Si + Al ≦2.7%を満たす成分を含有し、製品板における磁束密度B50を飽和磁束密度Bsで除した値B50/Bs が、B50/Bs ≧0.83を満たす無方向性電磁鋼板。その製造方法として、熱延板焼鈍もしくは最後の中間焼鈍の温度を950 °C以上とし、また最終の冷間圧延における鋼板温度の最大値を150 °C以上とする。

請求項（抜粋）：

質量%で、C:0.0005% 以上0.010%以下、Mn:0.1% 以上0.5%以下、Si:0.6% 以上1.4%以下、Al:0.8% 以上1.6%以下、かつ1.6%≦Si + Al ≦2.7%を満たす成分を含有し、残部はFe及び不可避不純物元素よりなる無方向性電磁鋼板において、歪取焼鈍後における磁束密度B50を飽和磁束密度Bsで除した値B50/Bs がB50/Bs ≧0.83を満たすことを特徴とする方位集積度及び粒成長性の良好な無方向性電磁鋼板。

IPC (3件)：

C22C 38/00 303 ,  C21D 8/12 ,  C22C 38/06

FI (3件)：

C22C 38/00 303 U ,  C21D 8/12 A ,  C22C 38/06

Fターム (5件)：

4K033AA01 ,  4K033DA02 ,  4K033FA13 ,  4K033JA01 ,  4K033RA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-002323