特許

J-GLOBAL ID：200903061723681256

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 岡田 正剛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320094
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144102
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】低オン抵抗化のための第1導電型拡散層の形成と、ゲート容量を低減し、高速化を図るためのゲート電極の一部分の除去とを同時に行うことにより、製造工程を増大を抑制し、製造コストの増加を防止することを目的とする。【解決手段】(a)第1導電型半導体基板上に絶縁膜を介して半導体膜を形成し、該半導体膜の一部の領域において薄膜化し、(b)該半導体膜に第1導電型不純物をドーピングし、(c)得られた半導体基板を酸化することにより、前記薄膜化した領域の半導体膜を酸化膜に変換するとともに、該薄膜化した領域の半導体膜中にドーピングされていた不純物を前記半導体基板に拡散させて第1導電型拡散層を形成することからなる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型半導体基板上に絶縁膜を介して半導体膜を形成し、該半導体膜の一部の領域において薄膜化し、(b)該半導体膜に第1導電型不純物をドーピングし、(c)得られた半導体基板を酸化することにより、前記薄膜化した領域の半導体膜を酸化膜に変換するとともに、該薄膜化した領域の半導体膜中にドーピングされていた不純物を前記半導体基板に拡散させて第1導電型拡散層を形成することからなる半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/225 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/225 P ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 658 A