特許

J-GLOBAL ID：200903061725594946

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田中 義幸 ,  中村 寛 ,  田中 智晴 ,  大平 秀子 ,  大内 和則
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174589
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 高速なブロック消去を可能とするNANDセル型のEEPROMを提供することを目的とする。【構成】 n型基板にp型ウェルが形成され、p型ウェルに浮遊ゲートと制御ゲートを有するメモリセルがマトリクス配列され、浮遊ゲートとp型ウェル間の電荷の授受により電気的書替えを可能とし、且つ複数のメモリセルが直列接続されてNANDセルを構成して選択ゲートを介してビット線に接続されたメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体記憶装置において、選択された複数個のNANDセルブロック201 ,202 内の全ての制御ゲートを接地電位とし、非選択のブロック203 〜20n 内の全ての制御ゲート、全てのブロック201 〜20n 内の全ての選択ゲート及びp型ウェルに消去電位を印加するデータ消去手段と、選択消去すべきNANDセルブロックの数を可変する手段とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に電荷蓄積層と制御ゲートを有するメモリセルがマトリクス配列され、電荷蓄積層と基板間の電荷の授受により電気的書替えを可能とした不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルを複数のブロックに分けて、ブロック単位で消去可能な構成とし、消去すべきブロックの数を可変する手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-124298
  
• 特開平1-298600