特許
J-GLOBAL ID：200903061727401142
マグネトロンスパツタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148642
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】ターゲットの局部的消耗を抑制し、基板移動なしに均一な成膜を行う。【構成】基板7と、基板に所定の間隔で対向配置したターゲット1の背面に該ターゲットの表面に沿って磁界パターンを形成する磁界発生手段3を備え、ガスプラズマを前記ターゲット表面に閉じ込めると共に、前記ターゲットの表面に形成される磁界のパターンを所定方向に順送する。【効果】ターゲット表面の磁界の方向とその大きさが変化してターゲット面上のエロージョンエリアが面内を移動し、基板に均一な成膜を行う。
請求項（抜粋）：
被成膜基板と、前記被成膜基板に所定の間隔で対向配置したターゲットと、前記ターゲットの前記被成膜基板とは反対側に配置されて前記ターゲットの表面に沿って磁界を形成し、ガスプラズマを前記ターゲット表面に閉じ込めると共に、前記ターゲットの表面に形成される磁界のパターンを所定方向に順送する磁界発生手段とを備え、前記被成膜基板に前記ガスプラズマを作用させることより前記被成膜基板の表面に所定の薄膜を生成することを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
IPC (5件)：
C23C 14/35
, C30B 25/08
, H01L 21/203
, H01L 21/31
, H05H 1/18
