特許

J-GLOBAL ID：200903061729907019

半導体装置の製造方法

発明者： 赤星 文彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336321
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201854
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウムを含有する配線のコロージョン防止方法に関し、アルミニウム配線がコロージョンによって断線するのを防止する方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に絶縁膜を介してアルミニウムを含有する金属膜を形成し、金属膜を塩素系ガスを使用してなすドライエッチング法を使用してパターニングして金属配線を形成し、金属配線の形成された基板を真空中において加熱して金属配線に付着している塩素を脱離した後、除湿した酸素を接触させて酸化膜を形成するようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を介してアルミニウムを含有してなる金属膜を形成し、該金属膜を塩素系ガスを使用してなすドライエッチング法を使用してパターニングして金属配線を形成し、該金属配線の形成された前記基板を真空中において加熱して前記金属配線に付着している塩素を脱離した後、除湿した酸素を接触させて酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/302 N