特許
J-GLOBAL ID：200903061730876615
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176557
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】半導体チップの素子形成面と接着部材との接着に際して接着面部に存在する異物に起因する素子形成面の素子の特性不良を防止し、半導体チップとリード部材とを接着する時の加熱温度に起因する半導体素子のダメージを防止し得る半導体装置を提供する。【構成】半導体素子が形成された半導体チップ10と、この半導体チップに電気的に接続されたリード部材15と、半導体チップの素子形成面の一部と上記リード部材の一部との間に介在し、両者を接着する時の加熱温度でのヤング率が下層よりも上層の方が大きく、かつ、ガラス転移温度が下層よりも上層の方が高くなっている少なくとも二層以上の熱可塑性接着剤13、14からなる接着部材18とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体チップと、この半導体チップに電気的に接続されたリード部材と、前記半導体チップの素子形成面の一部と上記リード部材の一部との間に介在し、両者を接着する時の加熱温度でのヤング率が下層よりも上層の方が大きく、かつ、ガラス転移温度が下層よりも上層の方が高くなっている少なくとも二層以上の熱可塑性接着剤からなる接着部材とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/50
