特許
J-GLOBAL ID：200903061733066576
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113617
公開番号（公開出願番号）：特開2001-295053
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 帯状基体207上に、均質な堆積膜を形成する。【解決手段】 内部を減圧状態に保つための真空容器203内には、中央より根元側の表面積Sbよりも先端側の表面積Stの方が大きい形状のアンテナ状放電電極101が設けられており、アンテナ状放電電極101の根元側に、導電性電極支持体102と給電導体104とを介して不図示の高周波電源が接続されている。アンテナ状放電電極101には、先端側の表面積Stが比較的大きい形状を有していることにより、先端側にキャパシタンスが負荷され、これにより比較的高い周波数の高周波電力を印加しても、アンテナ状放電電極101の長手方向に亙って実質的に均一に放電をさせることができ、均質な堆積膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
原料ガスを、内部を減圧状態に保った真空容器内に、ガス導入管を介して導入しつつ、前記真空容器内に配置されている放電電極に高周波電力を供給して放電させて、プラズマ化させる工程と、プラズマ化させた前記原料ガスを、前記真空容器内に配置されている基体上に堆積させる工程とを有する、プラズマCVD法による堆積膜形成方法において、前記放電電極として、プラズマに曝される部分に関しては中央より根元側の表面積Sbよりも先端側の表面積Stの方が大きい形状のアンテナ状放電電極を用いて、該アンテナ状放電電極の根元側から高周波電力を印加して放電を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/509
, C23C 16/54
, H01L 21/205
C23C 16/509
, C23C 16/54
, H01L 21/205
4K030CA17
, 4K030FA01
, 4K030GA14
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 5F045AA08
, 5F045AC01
, 5F045AC19
, 5F045AE23
, 5F045AF10
, 5F045BB01
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045CA13
, 5F045DP22
, 5F045EH02
, 5F045EH04
, 5F045EH08
, 5F045HA25
