特許

J-GLOBAL ID：200903061733236625

プラズマ処理装置

発明者： 久保 賢一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-262070
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100685
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 チャンバのメンテナンスにかかる時間を低減し、プラズマエッチング処理するに際しエッチングの終了時点を確実に検知するようにしたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 基板を収容するチャンバ12を有し、ウエハ処理用の処理ガスをチャンバ内に導入してウエハ14にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、チャンバ12の内壁に、処理ガスに対して非反応性の材質からなり、1枚毎に引き剥がし可能な複数枚からなる多層膜26を備える。チャンバ12の材質は透明な石英ガラスであり、多層膜26の材質は、透明なポリテトラフルオロエチレンである。これにより、多層膜26の表面の膜を1枚剥がすことにより、チャンバ壁面を直ちにしかも確実に清浄な面にすることができる。従って、メンテナンスにかかる時間を従来に比べて大幅に短縮することができる。また、モニタ装置22はエッチングの終了時点を確実に検知する。

請求項（抜粋）：

基板を収容するチャンバを有し、基板処理用の処理ガスをチャンバ内に導入して基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、チャンバの内壁に、処理ガスに対して非反応性の材質からなり、1枚毎に引き剥がし可能な複数枚からなる多層膜を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

C23F 4/00 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 E