特許

J-GLOBAL ID：200903061734124138

多重誘電体薄膜トランジスタ

発明者： ピン メイ ,  ジェームズ ビー ボイス ,  リチャード アイ ジョンソン ,  マイケル ジー ハック ,  ルネ エイ ルーヤン
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162096
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058340
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 レーザ結晶化された多結晶シリコンに用いるのに適し、かつ同一の基板上に高性能非晶質シリコン及び多結晶シリコンTFTsを生成するのに適した薄膜トランジスタ構造及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明の多重誘電体薄膜トランジスタは、シリコンチャネルと、チャネルに電気的に接触するソース電極と、チャネルに電気的に接触するドレイン電極と、チャネルに近いSiN誘電体層と、SiN誘電体層に隣接するゲート電極と、チャネルとSiN誘電体層の間に配置されたSiO2 誘電体層とを備える。

請求項（抜粋）：

シリコンチャネルと、前記チャネルに電気的に接触するソース電極と、前記チャネルに電気的に接触するドレイン電極と、前記チャネルに近いSiN誘電体層と、前記SiN誘電体層に隣接するゲート電極と、前記チャネルと前記SiN誘電体層の間に配置されたSiO2 誘電体層とを備えることを特徴とする多重誘電体薄膜トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 H