特許

J-GLOBAL ID：200903061736225705

半導体装置の製造方法

発明者： 布施 マリオ
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283431
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 多結晶シリコンを主体とした半導体膜を有する半導体装置の製造方法において、薄膜トランジスタにおける優れた電気的特性を得る。【構成】 絶縁性基板1上に平均粒径が0.01ミクロン以上0.5ミクロン以下のグレインを有するポリシリコンを主体とする半導体膜2を堆積する第1の工程と、前記半導体膜の結晶の融解のための第1のしきい値エネルギー密度未満であり且つ前記グレイン内の欠陥を溶融する第2のしきい値エネルギー密度より大きいエネルギー密度でレーザ照射を行なって前記グレイン内の欠陥部分のみを選択的に融解する第2の工程と、を具備することにより、グレイン内の欠陥を大幅に減少させるとともに、レーザ・アニール処理を効率よく行なう。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に平均粒径が0.01ミクロン以上0.5ミクロン以下のグレインを有するポリシリコンを主体とする半導体膜を堆積する第1の工程と、前記半導体膜の結晶の融解のための第1のしきい値エネルギー密度未満であり且つ前記グレイン内の欠陥を溶融する第2のしきい値エネルギー密度より大きいエネルギー密度でレーザ照射を行なって前記グレイン内の欠陥部分のみを選択的に融解する第2の工程と、を具備する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/20