特許
J-GLOBAL ID：200903061737549350
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-031398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013694
出願日： 1991年02月01日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 活性領域端面の温度上昇を低減した高出力動作が可能なAlGaInP系半導体レ-ザを提供すること。【構成】 共振器端面近傍に電流非注入領域を設けた半導体レ-ザ。即ち、半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が(AlXGa1-X)0.5In0.5P系からなる半導体レ-ザにおいて、少なくとも活性層が第1導電型の第1クラッド層と第2導電型のストライプ状メサ形状を有した第2クラッド層とで挟まれ、上記ストライプ状メサ側部及び外部に第1導電型で活性層より屈折率の大きい半導体層を具備し、共振器端部近傍を除く第2グラッド層ストライプ状メサ上面のみに第2導電型のGa0.5In0.5P層を具備してなる半導体レ-ザ。【効果】 共振器両端面近傍の第2導電型のGa0.5In0.5P層を除去することにより、電流非注入領域が形成され、レ-ザ発振の際、端面近傍の発熱が低減でき、高出力動作が可能となり、通常、3〜5mWの定格出力であるのに対して約3倍の10〜15mWの高出力動作が実現できる効果が生ずる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が(AlXGa1-X)0.5In0.5P系からなる半導体レ-ザにおいて、少なくとも活性層が第1導電型の第1クラッド層と第2導電型のストライプ状メサ形状を有した第2クラッド層とで挟まれ、上記ストライプ状メサ側部及び外部に第1導電型で活性層より屈折率の大きい半導体層を具備し、共振器端部近傍を除く第2グラッド層ストライプ状メサ上面のみに第2導電型のGa0.5In0.5P層を具備してなることを特徴とする半導体レ-ザ。
引用特許：
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