特許

J-GLOBAL ID：200903061739318585

半導体装置

発明者： 安藤 守
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022330
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の有効面積率を向上させる。【解決手段】 半導体基板60と、前記半導体基板60の所定の能動素子形成領域61に能動素子が形成され、前記能動素子形成領域61の前記基板60の裏面を前記能動素子の一の電極とした一の外部接続用電極62が形成され、前記能動素子の他の電極と電気的に接続され、前記能動素子形成領域61と分離形成された前記半導体基板60の一部分よりなる他の外部接続用電極63、64が形成され、前記他の電極と前記他の外部接続用電極63、64とは、配線基板65上に形成された配線パターン67によって電気的に接続される。

請求項（抜粋）：

基板の所定の能動素子形成領域に能動素子が形成され、前記能動素子形成領域の前記基板の裏面を前記能動素子の一の電極とした一の外部接続用電極領域と、前記能動素子の他の電極と電気的に接続され前記基板の一部分よりなる他の外部接続用電極領域とを有した半導体基板と、前記他の電極と前記他の外部接続用電極とを電気的に接続する金属配線が形成された配線基板とを有し、前記半導体基板と前記配線基板とが一体化され、前記半導体基板上に形成された前記金属配線を介して前記能動素子の他の電極と接続される前記他の外部接続用電極とが接続され、前記半導体基板に設けられたスリットにより、前記一の外部接続用電極領域と前記他の外部接続用電極領域とが電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭45-036054
  
• 特公昭46-034658