特許

J-GLOBAL ID：200903061740940575

単結晶の無転位収量の改善方法

発明者： リチャード・エル・ハンセン ,  ロバート・ディ・シェリー ,  ラリー・イー・ドラフォール ,  ロバート・エム・マッカッチャン ,  ジョン・ディ・ホールダー ,  レオン・エイ・アレン
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド ,  ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154337
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110579
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】 チョクラルスキー法において溶融半導体材料を収容するためのルツボの強化方法およびチョクラルスキー法によって成長させる単結晶中の転位形成の抑制方法を提供する。【解決手段】 底壁および側壁形成物を有するガラス質シリカ本体を有してなるルツボに、約600°C以下の温度で、第一の失透促進剤を側壁形成物の内表面に、そして/または第二の失透促進剤を側壁形成物の外表面に付着させる。このようにして、ルツボを600°Cを越える温度に加熱したときに、実質的に失透したシリカの第一の層を該内表面に形成させ、この第一の層が、溶融半導体材料から結晶を引き取るときに、溶融半導体材料中への結晶シリカ粒子の放出を減少させ、内表面の実質的に均一な溶解を促進し、そして/または実質的に失透したシリカの第二の層を該外表面に形成させ、この第二の層が、ガラス質シリカ本体を強化する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってルツボ中に含まれる溶融半導体材料から成長させる単結晶中の転位形成の抑制方法であって、ここで、該ルツボは、底壁、およびこの底壁から延在し、溶融半導体材料を保持するための腔を規定する側壁形成物を有するガラス質シリカ本体を有し、これら側壁形成物と底壁のそれぞれは内表面および外表面を有するものであり、第一の失透促進剤を、約600°C以下の温度で側壁形成物の内表面に付着させ、この付着を、ルツボを600°Cを越える温度に加熱したときに、実質的に失透したシリカの第一の層が該内表面に形成され、この第一の層が、溶融半導体材料から結晶を引き取るときに、溶融半導体材料中への結晶シリカ粒子の放出を減少させ、内表面の実質的に均一な溶解を促進し得るように行うことからなる方法。

IPC (3件)：

C30B 15/10 ,  C03B 20/00 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

C30B 15/10 ,  C03B 20/00 ,  C30B 29/06 502 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-236723