反射防止膜及びその形成方法、並びに半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333537
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180981
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】従来の反射防止膜では、短波長の露光光の散乱を十分低減できず、レジストパターンを所望形状に形成することができない。【解決手段】基板1上にゲート絶縁膜8を形成し、このゲート絶縁膜8上にSiH4を原料ガスとしてCVD法によりアモルファスシリコン膜9を形成した後、SiH4の原料ガスにNH3ガスを添加し、反射防止膜10となる窒素ドープトアモルファスシリコン膜を形成する。このとき、反射防止膜10の反射率が10%以下となるNH3ガスの流量を調節する。次にレジスト膜11を形成し、露光光を照射する。このとき、反射防止膜10の反射率は10%以下に設定されているので、レジスト膜11は現像することによって所定形状のレジストパターン15となる。

請求項（抜粋）：

窒素ドープトアモルファスシリコン膜からなることを特徴とする反射防止膜。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/30 574 , H01L 21/205

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