特許

J-GLOBAL ID：200903061743758522

多接合型太陽電池およびその製造方法

発明者： 高本 達也 ,  安居院 高明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-115360
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319934
出願日： 2003年04月21日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】化合物半導体素子のエピタキシャル成長に用いた基板を完全に除去し、薄膜化した高効率の多接合型太陽電池を製造する。【解決手段】本発明の多接合型太陽電池は、少なくとも1つの太陽電池素子層がエピタキシャル成長により形成された単結晶薄膜からなり、基板を含まない薄膜化合物太陽電池を備え、薄膜化合物太陽電池が、光入射側に一方の極性の表面電極を有し、裏面側にもう一方の極性の裏面電極となる透明導電膜を有し、薄膜化合物太陽電池に透明導電膜を介して、他の太陽電池が張り合わされた構造を有することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの太陽電池素子層がエピタキシャル成長により形成された単結晶薄膜からなり、基板を含まない薄膜化合物太陽電池であって、該薄膜化合物太陽電池の光入射側に、一方の極性の表面電極を有し、裏面側にもう一方の極性の裏面電極となる透明導電膜を有し、前記薄膜化合物太陽電池に透明導電膜を介して、他の太陽電池が張り合わされた構造を有することを特徴とする多接合型太陽電池。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 Y

Fターム (22件)：

5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051AA10 ,  5F051CB08 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA07 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03 ,  5F051KA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平6-511357
  
• 特許第6281426号
  
• 特開昭64-041278