特許

J-GLOBAL ID：200903061745185031

半導体レーザ装置、半導体発光装置、半導体装置および電子装置

発明者： 東條 剛 ,  矢吹 義文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-132465
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332673
出願日： 2002年05月08日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザ装置の動作温度の上昇を防止し、寿命を長くする。【解決手段】 サファイア基板1の一方の主面上にGaN系半導体層2を形成し、その上にp側電極3およびn側電極4を形成したレーザチップのp側電極3およびn側電極4側をサブマウント5上に接着する。このサブマウント5はパッケージのヒートシンク8上に接着する。サファイア基板1の他方の主面上に金属膜12を密着形成し、この金属膜12とパッケージのリード9とをAu線13によりボンディングし、これをサファイア基板1の放熱用熱伝導路とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の一方の主面上にレーザ構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を有し、この窒化物系III-V族化合物半導体層上にp側電極およびn側電極を有するレーザチップの上記p側電極および上記n側電極側が基台上に取り付けられた半導体レーザ装置において、上記絶縁基板の他方の主面に放熱用熱伝導路が接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/323 610

Fターム (8件)：

5F073CA02 ,  5F073CB03 ,  5F073CB21 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA29 ,  5F073FA27 ,  5F073FA30