特許

J-GLOBAL ID：200903061745350717

圧電性半導体及びその製造方法

発明者： 浅井 裕次 ,  今井 修
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090036
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 音響電気変換素子として用いるに適当な電気伝導度等の特性を有し、製造コストの低減した圧電性半導体を提供する。【構成】 ZnOを主成分とする単結晶から成る圧電性半導体である。Al等の3価金属をドープされており、電気伝導度が10-3〜10-61/Ω・cmである。ZnO焼結体及びZnO種結晶を用い、水熱合成法によりZnO単結晶を育成する。このZnO単結晶にAl(OH)3溶液等を付着・拡散処理してAl等をドープし、これにより、電気伝導度を制御する。

請求項（抜粋）：

ZnOを主成分とする単結晶から成る圧電性半導体であって、この半導体は3価金属を5〜120ppmドープされており、電気伝導度が10-3〜10-61/Ω・cmであることを特徴とする圧電性半導体。

IPC (5件)：

H01L 41/08 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/16 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 Z