特許
J-GLOBAL ID：200903061750423110
MOSゲート半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-240626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093079
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 ベース領域の拡散深さを大きく保ちながらオン抵抗を小さく抑え、かつ安定した閾値電圧を示すMOSゲート半導体装置を提供することである。【解決手段】 第1導電型の半導体基板層と、該半導体基板層内に不純物を所定深さ迄拡散した縦方向拡散領域とその横に延在する所定深さ以内の横方向に拡散した横方向拡散領域とを有する第2導電型の第1の拡散層と、該第1の拡散層中に形成した第1導電型の第2の拡散層と、前記横方向拡散領域上に絶縁膜を介して形成したゲート電極とを有するMOSゲート半導体装置において、前記横方向拡散領域内に第1導電型の第3の拡散領域を形成し、前記ゲート電極は、前記第2の拡散層と前記第3の拡散層の間をオン/オフする第1ゲート電極と、前記第3の拡散層と前記半導体基板層の間をオン/オフする第2ゲート電極とに分離した。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板層と、該半導体基板層内に不純物を所定深さ迄拡散した縦方向拡散領域とその横に延在する所定深さ以内の横方向に拡散した横方向拡散領域とを有する第2導電型の第1の拡散層と、該第1の拡散層中に形成した第1導電型の第2の拡散層と、前記横方向拡散領域上に絶縁膜を介して形成したゲート電極とを有するMOSゲート半導体装置において、前記横方向拡散領域内に第1導電型の第3の拡散領域を形成し、前記ゲート電極は、前記第2の拡散層と前記第3の拡散層の間をオン/オフする第1ゲート電極と、前記第3の拡散層と前記半導体基板層の間をオン/オフする第2ゲート電極とに分離したことを特徴とするMOSゲート半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 655 A
