特許
J-GLOBAL ID:200903061750579854

発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 久保山 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-285109
公開番号(公開出願番号):特開平9-129923
出願日: 1995年11月01日
公開日(公表日): 1997年05月16日
要約:
【要約】【課題】発光素子組立工程を簡素化し、コストダウンを図ることができる構造を有する発光素子を提供する。【解決手段】導電性Si基板上に形成した、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を用いた発光素子において、該発光素子が、n型の導電性を有する3-5族化合物半導体上に形成されてなる電極と、導電性Si基板上に形成されてなる電極とを有し、かつ該二つの電極が電気的に連結してなることを特徴とする発光素子。
請求項(抜粋):
導電性Si基板上に形成した、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体を用いた発光素子において、該発光素子が、n型の導電性を有する3-5族化合物半導体上に形成されてなる電極と、導電性Si基板上に形成されてなる電極とを有し、かつ該二つの電極が電気的に連結してなることを特徴とする発光素子。
IPC (4件):
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18 ,  H05H 1/46
FI (4件):
H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 A ,  H01S 3/18 ,  H05H 1/46 C

前のページに戻る