特許

J-GLOBAL ID：200903061751909220

半導体装置の表面処理液および半導体装置のウエット処理方法

発明者： 大西 照人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051478
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246255
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板表面に銅を析出させることなく、自然酸化膜の除去および再形成の抑制を行う。【解決手段】 硫酸と弗化アンモニウムとを含有した溶液で半導体装置の表面を処理することで、銅を析出させることなく、自然酸化膜の除去と自然酸化膜の再形成の抑制を行う。

請求項（抜粋）：

硫酸と弗化アンモニウムとを含有してなることを特徴とする半導体装置の表面処理液。

IPC (3件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/308 B ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/306 B