特許
J-GLOBAL ID：200903061754147568
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009828
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204005
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】高融点金属プラグを埋込んだヴィアホール又はコンタクトホール近傍のエレクトロマイグレーション耐性を向上させ断線を防止する。【構成】タングステンプラグ7を埋込んだコンタクトホールの真上に当るシリコン酸化膜12及びタングステンプラグ17を埋込んだヴィアホールの真下に当る層間絶縁膜3、及びヴィアホールの真上に当るシリコン酸化膜21のそれぞれに形成した穴に埋込んで下層配線11又は上層配線20と一体化したアルミニウム膜9,13,22を設けることにより、電子の流れにより生ずるボイドにこれらの穴のアルミニウム膜からアルミニウム原子を補充してボイドを埋め、断線を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた第1の層間絶縁膜上に形成した下層配線と、前記下層配線を含む表面に形成して前記下層配線の表面を露出させる接続用開孔部を設けた第2の層間絶縁膜と、前記開孔部内に埋込んだ高融点金属プラグを介して前記下層配線と電気的に接続し且つ前記第2の層間絶縁膜上に延在する上層配線と、前記上層配線を含む表面に形成した保護膜とを有する半導体装置において、前記高融点金属プラグの真下に当る前記第1の層間絶縁膜に形成した穴に埋込んで前記下層配線と一体化させた前記下層配線と同じ材質の金属膜あるいは前記高融点プラグの真上に当る前記保護膜に形成した穴に埋込んで前記上層配線と一体化させた前記上層配線と同じ材質の金属膜の少くとも一方を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 D
, H01L 21/88 R
