特許

J-GLOBAL ID：200903061755056027

膜形成用材料及び配線形成方法

発明者： 寺井 由佳 ,  川口 明実 ,  矢野 航作
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255687
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 CVD法により銅配線を形成する場合に、銅配線の表面部にバリア層を形成する工程を削減できる膜形成用材料を提供する。【解決手段】 Cuに配位し且つSiを含む六員環構造を有し、一般式が、【化1】で表される膜形成用材料である。前記の一般式において、X1 及びX2 は例えばO、S、Se、Te等のCuと配位結合する同種又は異種のVI族の元素である。Y1 、Y2 及びY3 のうちの少なくとも1つはSiである。Lは二重結合又は三重結合を持ちCuに電子を供与できる基である。R1 及びR2 は例えばSiF3 、SiH3 、CF3 又はCH3 である。

請求項（抜粋）：

Cuに配位し且つSiを含む六員環構造を有し、一般式が、【化1】(但し、X1 及びX2 はCuと配位結合する同種又は異種のVI族の元素であり、Y1 、Y2 及びY3 のうちの少なくとも1つはSiであり、Lは二重結合又は三重結合を持ちCuに電子を供与できる基であり、R1 及びR2 は任意の元素又は化合物である)で表される膜形成用材料。

IPC (4件)：

C07F 7/02 ,  C07F 9/6596 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C07F 7/02 Z ,  C07F 9/6596 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/88 M