特許
J-GLOBAL ID：200903061755873580
窒化物系III-V族化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014902
公開番号（公開出願番号）：特開平10-215028
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体間において、大きなバンド不適続値を有し、かつ格子整合した半導体層が得られていなかった。【解決手段】 障壁層と活性層を接合してなる窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、前記活性層はNbを含むことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体発光素子を提供する。
請求項（抜粋）：
障壁層と活性層を接合してなる窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、前記活性層はNbを含むことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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