パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野澤裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-059681
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235144
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】レジスト剥離処理後にシード層の上に残渣物が残っている場合はシード層をエッチングする工程にて所定領域のシード層が除去されずパターン回路が相互に短絡する。また隣接するパターンの間隔が狭くなる等の欠陥となる。【解決手段】パターンの形成方法において、下地金属層上にパターンに対応したレジスト層を形成し、該パターンにメッキにより導体回路を設け、前記レジスト層をアルカリ性のレジスト剥離液により剥離し、剥離した後に残る残渣物である2 、2'- ビス(o- クロロフェニル)-4 、4'、 5、5'- テトラフェニル-1、2'- ビイミダゾールを酢酸、クエン酸、蟻酸、乳酸の内の少なくとも1つを含む有機酸とベンゾトリアゾール、2-エチルベンゾイミダゾール、3-ヒドロキシ-2- ピロンの内の少なくとも1つとを含む含窒素化合物を含有する除去液で前記残渣物を除去する工程を有することを特徴とするパターンの形成方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パターンの形成方法において、下地金属層上にパターンに対応したレジスト層を2 、2'- ビス(o- クロロフェニル)-4 、4'、 5、5'- テトラフェニル-1、2'- ビイミダゾールを有する光反応開始剤を含み、アルカリ液に可溶なレジスト材にて形成し、該パターンにメッキにより導体回路を設け、前記レジスト層をアルカリ性のレジスト剥離液により剥離し、剥離した後に残る残渣物である2 、2'- ビス(o- クロロフェニル)-4 、4'、 5、5'- テトラフェニル-1、2'- ビイミダゾールを酢酸、クエン酸、蟻酸、乳酸の内の少なくとも1つを含む有機酸とベンゾトリアゾール、2-エチルベンゾイミダゾール、3-ヒドロキシ-2- ピロンの内の少なくとも1つとを含む含窒素化合物を含有する除去液で前記残渣物を除去する工程を有することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/027 , G03F 7/031 , G03F 7/004 , G03F 7/40 , G03F 7/42 , H05K 3/18 , H05K 3/26 , B08B 3/08

FI (8件)：

H01L21/30 572B , G03F7/031 , G03F7/004 512 , G03F7/40 521 , G03F7/42 , H05K3/18 D , H05K3/26 E , B08B3/08 Z

Fターム (33件)：

2H025AA16 , 2H025AB15 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BC13 , 2H025BC42 , 2H025CA28 , 2H025FA17 , 2H025FA35 , 2H025FA43 , 2H025FA48 , 2H096AA26 , 2H096BA05 , 2H096EA02 , 2H096GA08 , 2H096HA07 , 2H096HA27 , 2H096LA02 , 2H096LA03 , 2H096LA30 , 3B201AA01 , 3B201BB94 , 3B201BB95 , 3B201BB96 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC62 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343EE02 , 5E343EE17 , 5E343GG08 , 5F046MA02

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