特許
J-GLOBAL ID：200903061761390273
半導体素子の実装装置及びその実装方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051601
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251335
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 初期のダイボンディング時に熱硬化性樹脂を半硬化状態にすることにより、半導体素子のずれを防ぎ、半導体素子を微小間隔でダイボンディングする必要がある場合であっても、所定の位置に正確に配置することができる半導体素子の実装装置及びその実装方法を提供する。【解決手段】 基板11上に供給した熱硬化性接着剤12を、半導体素子13搭載毎に半導体素子13を介してコレット14から供給される熱により半硬化状態にし、その後、オーブン又はリフロー炉15により熱硬化性接着剤12を硬化させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の実装方法において、(a)半導体素子を真空吸着し、コレットの押圧で基板上へ熱硬化性接着剤を用いて半導体素子をダイボンディングするとともに、加熱手段で前記熱硬化性接着剤を半硬化状態にする工程と、(b)前記半導体素子が搭載された基板を加熱炉に移し、前記熱硬化性接着剤を硬化する工程とを施すことを特徴とする半導体素子の実装方法。
FI (2件)：
H01L 21/52 C
, H01L 21/52 F
