特許
J-GLOBAL ID：200903061761847184
記憶素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-151016
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295941
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】メモリ素子の使い勝手の向上を図る。【解決手段】第1電極22と、第2電極と、第1電極上にマンガン酸カルシウムプラセオジウムにより形成された酸化物半導体層24とを備えるメモリ素子において、第2電極28と酸化物半導体層24との間に金属酸化物層26を設けた。これにより、フォーミング無しで情報を記憶することができ、メモリ素子20を使用する際の使い勝手の向上を図ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在し酸化物半導体により形成された酸化物半導体層と、を備え、前記第1電極を基準電圧として前記第2電極に正の第1電圧を印加することにより前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電気的な抵抗状態としての第1抵抗状態と、前記第1電極を基準電圧として前記第2電極に負の第2電圧を印加することにより前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電気的な抵抗の状態であって前記第1抵抗状態と異なる第2抵抗状態と、を用いて情報を記憶する記憶素子であって、
前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方と前記酸化物半導体層との間に介在し、所定の絶縁性能を有する金属酸化物により前記酸化物半導体層より薄く形成された金属酸化物層を備える
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA44
, 5F083JA60
, 5F083PR04
, 5F083PR21
