特許

J-GLOBAL ID：200903061763470380

金属の塩化装置および金属塩化物製造方法

発明者： 浅井 剛 ,  高取 英男
出願人/特許権者： 東邦チタニウム株式会社
代理人 (1件)： 秋山 敦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151341
公開番号（公開出願番号）：特開2000-335905
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、取扱いの不便な無水塩化ニッケルを還元工程の出発物質として使用せずに、ニッケル粉末を作成するニッケル粉製造工程に用いる塩化ニッケルガス製造装置を提供すること、金属ニッケルと塩素ガスとの接触効率を高めることのできる塩化ニッケルガス製造装置を提供することにある。【解決手段】 本発明に係る金属の塩化装置は、塩化炉1内に、金属原料投入口2から金属原料が供給される金属原料充填部10が形成される。この金属原料充填部10に隣接する位置に、ガス流通孔が穿設された領域5aと、ガス流通孔が穿設されていない領域5bとを備えた面を有する仕切り板5が設けられる。この仕切り板5を回動させることにより、塩化炉1内のガス流路を変更し、塩化炉1内でのガス流路閉塞による処理速度の低下を防止する。

請求項（抜粋）：

金属を塩化する金属の塩化装置であって、該金属の塩化装置は、内部に供給された金属を塩化する塩化炉を備え、前記塩化炉には、該塩化炉内に金属を供給するための金属原料投入口と、前記塩化炉内に塩素ガスを供給するための塩素ガス導入口と、金属塩化物ガスを前記塩化炉外に排出する塩化物ガス排出口と、が配設され、前記塩化炉内には、前記金属原料投入口から金属原料が供給される金属原料充填部が形成されると共に、前記金属原料充填部に隣接する位置に前記塩化炉内を分割するように仕切り板が設けられたことを特徴とする金属の塩化装置。

IPC (4件)：

C01B 9/02 ,  B22F 9/28 ,  C01G 53/09 ,  H01G 4/12 361

FI (4件)：

C01B 9/02 ,  B22F 9/28 Z ,  C01G 53/09 ,  H01G 4/12 361

Fターム (16件)：

4G048AA06 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD03 ,  4G048AE06 ,  4K017AA03 ,  4K017BA02 ,  4K017BA03 ,  4K017BA05 ,  4K017CA01 ,  4K017CA08 ,  4K017EK03 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AZ00