特許
J-GLOBAL ID：200903061763724217
半導体ウェーハの研削方法及び研削装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087766
公開番号（公開出願番号）：特開平6-270041
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 研削効率の向上を図った半導体ウェーハの研削方法及び研削装置を得る。【構成】 チャックテーブル1,21に保持されたウェーハ2,22の側部から回転研削砥石4,24を作用させてウェーハ面を研削する第1の工程と、この第1の工程によって研削されたウェーハを回転させながらウェーハ面側から回転研削砥石4,24を接触させて押圧力を加えながら研削する第2の工程とからなる研削方法である。チャックテーブル1,21と、スピンドルユニット23,43と、ウェーハに研削を施す研削遂行手段とを有する第1の研削ユニットu1と、チャックテーブルと、スピンドルユニットと、チャックテーブルに保持されているウェーハを所要位置に位置付ける位置付け手段25とを有する第2の研削ユニットu2とを少なくとも含む研削装置である。
請求項（抜粋）：
チャックテーブルに保持されたウェーハの側部から回転研削砥石を作用させてウェーハ面を研削する第1の工程と、この第1の工程によって研削されたウェーハを回転させながらウェーハ面側から回転研削砥石を接触させ押圧力を加えながら研削する第2の工程と、からなる半導体ウェーハの研削方法。
IPC (2件)：
B24B 1/00
, H01L 21/304 331
