特許
J-GLOBAL ID：200903061767534919
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054100
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263810
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 横モードが安定で、無効電流の少ない、内部ストライプ構造を有する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 第1導電型半導体基板11上に、第1導電型下部クラッド層13、活性層14、第2導電型上部クラッド層15、第2導電型中間層16を具備し、これら上部クラッド層15および中間層16はリッジストライプに加工され、このリッジストライプ構造上の全面に第2導電型コンタクト層17が形成されている半導体レーザ素子であって、上部クラッド層15とコンタクト層17の界面で、多数キャリアの輸送に関するバンドについて、多数キャリアに対するエネルギーレベルが上部クラッド層15の方で大きく、少数のキャリアの輸送に関するバンドについて、少数キャリアに対するエネルギーレベルがコンタクト層17の方で大きいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に、第1導電型下部クラッド層、活性層、さらにリッジストライプ形状からなる第2導電型上部クラッド層を設け、該リッジストライプ形状部の上面に第2導電型中間層を設け、該第2導電型上部クラッド層および第2導電型中間層の上面に第2導電型コンタクト層を設けた半導体レーザ装置において、該第2導電型上部クラッド層と第2導電型コンタクト層との界面で、多数キャリアの輸送に関するバンドについて、該多数キャリアに対するエネルギーレベルが該第2導電型コンタクト層よりも該第2導電型上部クラッド層で大きいオフセットを有し、かつ、少数キャリアの輸送に関するバンドについて、該少数キャリアに対するエネルギーレベルが該第2導電型上部クラッド層よりも該第2導電型コンタクト層で大きいオフセットを有する半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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