特許
J-GLOBAL ID:200903061770133348

チップ型セラミック電子部品の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 均
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-356027
公開番号(公開出願番号):特開平5-175013
出願日: 1991年12月22日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】 半田耐熱性や半田付け性を向上させ、実装工程においてフロー半田などの方法を適用して、容易かつ確実に実装することを可能にする。【構成】 Ti、Cr、Ni、Zn及びAlからなる群より選ばれるいずれか1種の金属または前記群から選ばれる少なくとも1種を含む合金を蒸着することにより下層側電極2を形成するとともに、下層側電極2にSnまたはSn合金を蒸着することにより上層側電極3を形成する。また、必要に応じて、下層側電極2を形成した後、その上にNiとCuのいずれか1種または少なくとも1種を含む合金を蒸着することにより、下層側電極2と上層側電極3との間に中間層電極4を形成する。
請求項(抜粋):
オーミック性を有する下層側電極と、半田付け性を有する上層側電極とを備えてなる電極をセラミック電子部品素体上に配設してなるチップ型セラミック電子部品の製造方法において、Ti、Cr、Ni、Zn及びAlからなる群より選ばれるいずれか1種の金属または前記群から選ばれる少なくとも1種を含む合金を蒸着することにより下層側電極を形成する工程と、前記下層側電極にSnまたはSn合金を蒸着することにより上層側電極を形成する工程とを具備することを特徴とするチップ型セラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件):
H01C 7/02 ,  H01C 17/28
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特公昭47-025954
  • 特開昭54-010996

前のページに戻る