特許
J-GLOBAL ID：200903061770137815
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296245
公開番号（公開出願番号）：特開2002-109892
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 正常に書込み及び消去動作が終了するまでに要する平均時間を短縮化し、書込み動作及び消去動作における不良率を抑制し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 ワード線及びビット線に対する所定の幅及び電圧を有する書込みパルスの印加に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータが書き込まれるメモリセルを有し、データの書込み動作において、上記書込みパルスの印加毎に、データをそのしきい値電圧から判定するベリファイを行なう不揮発性半導体装置において、1回目のデータの書込み動作にて書込み不良となり、書込み動作を再度実行する際に、1回目の書込み動作の場合よりも書込み不良率を抑制し得る書込み条件を設定する。
請求項（抜粋）：
ワード線及びビット線に対する所定の幅及び電圧を有する書込みパルスの印加に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータが書き込まれるメモリセルを有し、データの書込み動作において、上記書込みパルスの印加毎に、データをそのしきい値電圧から判定するベリファイを行なう不揮発性半導体装置において、1回目のデータの書込み動作にて書込み不良となり書込み動作を再度実行する際に、1回目の書込み動作の場合よりも書込み不良率を抑制し得る書込み条件が設定されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (4件)：
G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 612 B
, G11C 17/00 641
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD03
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AD09
, 5B025AD15
, 5B025AE05
, 5B025AE08
