特許
J-GLOBAL ID：200903061771889497
加速度センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035514
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236785
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 高感度な加速度センサを提供することにある。【構成】 p型単結晶シリコン基板2の表面には、薄膜Mが積層されている。薄膜Mの一部には、マス部6と片持ち梁7とからなるカンチレバー構造部が形成されている。片持ち梁7の一部には、歪みゲージ10が形成されている。薄膜Mは、多孔質酸化シリコン層3とその上に積層されたn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層4とからなる。カンチレバー構造部は、エピタキシャル成長層4に形成されている。マス部6及び片持ち梁7の外周部及び下部には、空隙8が形成されている。
請求項（抜粋）：
p型単結晶シリコン基板(2)の表面に積層された薄膜(M)の一部にマス部(6)と梁(7)とからなるカンチレバー構造部が形成され、その梁(7)の一部に歪みゲージ(10)が形成された加速度センサ(1)であって、前記薄膜(M)は、多孔質酸化シリコン層(3)とその上に積層されたn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層(4)とからなり、前記カンチレバー構造部は、前記エピタキシャル成長層(4)に形成されている加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
