特許

J-GLOBAL ID：200903061775605655

表面バイアホールへの金属の埋め込み方法

発明者： 和泉 貴之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331960
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング等で凹凸の大きな表面に伝導層を形成せずに基板自体のフラットな面を伝導層として用い、伝導層の不均一性をなくすことができる表面バイアホールへの金属の埋め込み方法を提供する。【解決手段】 基板に低抵抗基板1を用い、この低抵抗基板1に半絶縁層2を形成し、それを基板Aとして、バイアホール8を形成し、前記低抵抗基板1を伝導層として電解メッキを行うことによりバイアホール8への金属の埋め込みを行う。

請求項（抜粋）：

基板に低抵抗基板を用い、該低抵抗基板に半絶縁層を形成し、それを基板としてバイアホールを形成し、前記低抵抗基板を伝導層として電解メッキを行うことによりバイアホールへの金属の埋め込みを行うことを特徴とする表面バイアホールへの金属の埋め込み方法。

IPC (4件)：

H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 ,  H05K 3/40

FI (4件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 H ,  H05K 3/40 K

Fターム (33件)：

4K024AB01 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA01 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD15 ,  4M104DD20 ,  4M104DD26 ,  4M104DD52 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB11 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC33 ,  5E317CD01 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD31 ,  5E317GG17