特許

J-GLOBAL ID：200903061777748070

パターン形成方法

発明者： 仁木 博一 ,  大西 廉伸 ,  早瀬 留美子 ,  親里 直彦 ,  小林 嘉仁 ,  佐藤 一夫 ,  宮村 雅隆 ,  熊谷 明敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216244
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】紫外線、電離放射線等の波長の短い放射線を用いたリソグラフィに適用でき、難溶化層に起因する庇を生じることなく、断面が矩形状で微細なパターンを形成する。【構成】化学放射線の照射により酸を発生し得る化合物と酸により分解し得る結合を少なくとも1つ有する化合物とを含有した感放射線組成物を主成分とする感放射線層を、基板上に形成する工程と、前記感放射線層上に酸性の被覆層を形成する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層に化学放射線をパターン照射する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層を現像処理する工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

化学放射線の照射により酸を発生し得る化合物と酸により分解し得る結合を少なくとも1つ有する化合物とを含有した感放射線組成物を主成分とする感放射線層を、基板上に形成する工程と、前記感放射線層上に酸性の被覆層を形成する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層に化学放射線をパターン照射する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層を現像処理する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭63-287950
  
• 特開昭60-095430
  
• 特開昭60-263141
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-287950
  
• 特開昭60-095430
  
• 特開昭60-263141