特許
J-GLOBAL ID:200903061782493250

セラミックス絶縁基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福井 豊明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-318669
公開番号(公開出願番号):特開平7-176839
出願日: 1993年12月17日
公開日(公表日): 1995年07月14日
要約:
【要約】【目的】 パワー半導体モジュールに適用されるセラミックス絶縁基板に関し、耐熱サイクル性に優れ、亀裂及び「反り」の発生を同時に抑制することのできるセラミックス絶縁基板を提供することを目的とする。【構成】 例えば窒化アルミニウム質材料か、又はアルミナ質材料で構成されたセラミックス基材1の表裏面に、所定パターンの電子回路を構成する回路側銅板2と、該回路側銅板2で発生した熱を放散させるシンク側銅板3とが各々接合されてなるセラミックス絶縁基板において、上記シンク側銅板3のジルコニウム含有量を0.01重量%以上とする一方、上記回路側銅板2のジルコニウム含有量を0.01重量%未満とした構成とする。
請求項(抜粋):
セラミックス基材(1) の表裏面に、所定パターンの電子回路を構成する回路側銅板(2) と、該回路側銅板(2) で発生した熱を放散させるシンク側銅板(3) とが各々接合されてなるセラミックス絶縁基板において、上記シンク側銅板(3) のジルコニウム含有量を0.01重量%以上とする一方、上記回路側銅板(2) のジルコニウム含有量を0.01重量%未満としたセラミックス絶縁基板。

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