特許

J-GLOBAL ID：200903061783451268

複数のフォトダイオードを有する半導体光電変換素子

発明者： 斉 藤 俊 裕 ,  田 中 淳 介 ,  小 松 悠 二 ,  宮 地 賢 司 ,  小 長 井 誠
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
代理人 (1件)： 最上 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-149924
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018091
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 クロストーク現象や不感帯の受光によるドリフトが極めて少ない上、構成する素子の光電特性が揃った高品質のフォトダイオードを含む集積回路を提供する。【構成】 一枚の半導体基板上に形成される複数個のフォトダイオードを形成するpn接合部の近傍にそれと同型の不純物を拡散させて分離帯を設けると共に、その分離帯表面に遮光被覆を施す。

請求項（抜粋）：

複数のフォトダイオードを有する半導体光電変換素子に於いて、各フォトダイオードを形成するpn接合部の近傍にそれと同型の不純物を拡散させて分離帯を形成すると共に、各フォトダイオードの受光面を除き少なくとも分離帯表面に遮光被覆を設けて成る上記の半導体光電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/761 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/76 J ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/02 D