特許

J-GLOBAL ID：200903061793405655

キセノンを用いたプラズマエッチング

発明者： スティーヴン マック ,  ブライアン シア ,  チャールズ ステファン ローデス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134508
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058079
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理方法を提供する事を目的とする。【構成】 結晶粒界を有しレジストを塗布した基板をチャンバー内のエッチング領域に置き、1次エッチャント、2次エッチャント及びキセノンを備えたプロセスガスをエッチング領域に導入する。プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。好適には、この1次エッチャントはCl2 を備え、2次エッチャントはBCl3 を備える。

請求項（抜粋）：

結晶粒界を有しレジストをその上に有する基板を選択的にエッチングする方法であって、(a)エッチング領域内に基板を置くステップと、(b)(i)塩素、弗素及び臭素から成る群より選択される1次エッチャントと(ii)上記基板の結晶粒界のエッチングに適する2次エッチャントと(iii)キセノンとを備える酸素非含有のプロセスガスを上記エッチング領域内に導入するステップと、(c)実質的に酸素非含有であるプラズマを上記エッチング領域に発生させ上記プロセスガスよりエッチングガスを生じ、上記エッチングガスが上記基板を選択的にエッチングするステップと、を備えるエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-284628
  
• 特開平4-284628
  
• 特開平3-034318
  
• 特開平4-288827