特許

J-GLOBAL ID：200903061801610883

タップ密度の低い酸化ジルコニウム微粉末の製造方法

発明者： 西 稔彦 ,  前川 敬治 ,  本保 圭蔵
出願人/特許権者： 日本電工株式会社
代理人 (1件)： 中路 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355491
公開番号（公開出願番号）：特開平6-183739
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：

【要約】【目的】 エレクトロニクス用フアインセラミツクスなどの原料として使用される酸化ジルコニウム粉は、純度が高く、粒径が微小で、更にかさ密度、タップ密度が小さく、良好な分散性が求められる。ところが従来の製造方法では、この目的達成は極めて不満足であったので効果的な製造方法を提供する。【構成】 水溶性ジルコニウム化合物を水に溶解し加熱昇温し、該溶液を撹拌しながら硫酸アンモニウム溶液を添加して、塩基性硫酸ジルコニウム沈殿が懸濁したスラリ-を得、これをアルカリで処理した後、水酸化ジルコニウムを分離処理し、これを仮焼して酸化ジルコニウムを得る方法において、前記水溶性ジルコニウム塩の濃度、温度を限定、かつ硫酸アンモニウム水溶液の濃度、量および添加時間を限定する方法をとる。

請求項（抜粋）：

水溶性ジルコニウム化合物を水に溶解し加熱昇温する段階と、該溶液を撹拌しながら硫酸アンモニウム溶液を添加して不溶性の塩基性硫酸ジルコニウム沈殿が懸濁したスラリ-を得る段階と、前記スラリ-をアルカリ性物質で処理した後水酸化ジルコニウムを分離する段階と、前記水酸化ジルコニウムを仮焼した後粉砕する段階と、を有して成る酸化ジルコニウム微粉末の製造方法において、前記水溶性ジルコニウム塩溶液濃度を硫酸アンモニウム溶液添加後の全容に対してZrO2として20〜80g/l、溶液温度を70°C以上に調整する段階と、前記硫酸アンモニウム溶液濃度が20〜600g/l,硫酸アンモニウム溶液量がSO4として酸化ジルコニウム1モル当り0.42〜0.55モルとなるように調整する段階と、前記水溶性ジルコニウム化合物を撹拌しながら硫酸アンモニウム水溶液を添加混合して塩基性硫酸ジルコニウム沈殿スラリ-を生成させる段階と、前記スラリ-をアルカリ性物質によって中和した後濾過、洗浄して塩基性硫酸ジルコニウムから硫酸根を脱離して水酸化ジルコニウムに変化させる段階と、を有することを特徴とするタップ密度の低い酸化ジルコニウム微粉末の製造方法。