特許
J-GLOBAL ID：200903061811296400
HBT型化合物半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048876
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263460
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 エミッタとベースが異なる材料で形成されるヘテロバイポーラドランジスタ型の化合物半導体装置に関し、実質的に電流が流れる部分において、pn接合を露出させないヘテロバイポーラトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層と異なる材料のエミッタ層を含む化合物半導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、前記エミッタ層の一部を、前記ベース層に近い側の一部厚さを残すように、除去する工程と、前記エミッタ層の側壁上に保護膜を形成する工程と、前記ベース層に近い側に残された一部厚さのエミッタ層上に、ベース層と同一導電型でより高不純物濃度の化合物半導体の外部ベース付加層を再成長する工程と、前記ベース付加層の表面に金属あるいは絶縁物の層を形成する工程と、前記外部ベース付加層中の不純物をその下の一部厚さのエミッタ層およびベース層中へ拡散させ、一部厚さのエミッタ層の導電型を反転させる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層と異なる材料のエミッタ層を含む化合物半導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、前記エミッタ層の一部を、前記ベース層に近い側の一部厚さを残すように、除去する工程と、前記エミッタ層の側壁上に保護膜を形成する工程と、前記ベース層に近い側に残された一部厚さのエミッタ層上に、ベース層と同一導電型でより高不純物濃度の化合物半導体の外部ベース付加層を再成長する工程と、前記ベース付加層の表面に金属あるいは絶縁物の層を形成する工程と、前記外部ベース付加層中の不純物をその下の一部厚さのエミッタ層およびベース層中へ拡散させ、一部厚さのエミッタ層の導電型を反転させる工程とを含むヘテロバイポーラトランジスタ型化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
