特許
J-GLOBAL ID：200903061811584236
半導体装置およびこれを用いた周波数逓倍回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183959
公開番号（公開出願番号）：特開2001-016041
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 不要な周波数成分を取り除くことができる半導体装置を提供すること。【解決手段】 複数の電極G、D、Sを有するFET13と、このFET13のソース電極Sに接続されたバイアス回路とを具備した半導体装置において、バイアス回路が、一端が接地された2つのキャパシタC1、C2と、この2つのキャパシタC1、C2の他端間に接続された伝送線路15と、ソース電極Sから遠い側に位置するキャパシタC2の他端と接地GNDとの間に接続された抵抗16とで構成されている。
請求項（抜粋）：
複数の電極を有する能動素子と、この能動素子の1つの電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路とを具備した半導体装置において、前記バイアス回路が、一端が接地された2つのキャパシタと、この2つのキャパシタの他端間に接続された伝送線路と、前記1つの電極から遠い側に位置するキャパシタの他端と接地との間に接続された抵抗とで構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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トランジスタ増幅回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-070297
出願人：株式会社ヨコオ
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特公昭44-025137
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特開昭60-165814
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