特許
J-GLOBAL ID：200903061812829500
多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056259
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268377
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 高速の信号を扱う多層配線基板で必要となる小さい直径で深い信号線の接続ビアの形成を可能にし、高密度で、扱う信号の質が優れた多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】 セラミックから成る基板と、該基板上に絶縁体層と導体層とを交互に形成し、電源あるいは接地層と電気信号を伝播させる信号配線層とを有する多層配線基板の電源または信号配線の上下の層間を接続するように配置される多層配線基板の製造方法において、めっきを用いて接続部分の一部を柱状の導体より成る第1のビアポスト22Aで形成する工程と、この第1のビアポスト22A上に第1の中間絶縁膜13を形成する工程と、この第1の絶縁膜13にエッチングによりビアホール22Bを形成する工程と、このビアホール22Bに接続される中間信号線24を形成する工程とを施す。
請求項（抜粋）：
セラミックから成る基板と、該基板上に絶縁体層と導体層とを交互に形成し、電源あるいは接地層と電気信号を伝播させる信号配線層とを有する多層配線基板の電源または信号配線の上下の層間を接続するように配置される多層配線基板の製造方法において、(a)めっきを用いて接続部分の一部を柱状の導体より成るビアポストで形成する工程と、(b)該ビアポスト上に絶縁体層を形成する工程と、(c)該絶縁体層にエッチングによりビアホールを形成する工程と、(d)該ビアホールに接続される信号配線層を形成する工程とを施すことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
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