半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299160
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162477
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、集積回路装置に関し、イオン注入法を用いることなくショットキーゲート電極を用いた化合物半導体装置のソース-ゲート電極間の距離をさらに短縮する。【構成】ゲート電極形成用の導電層上にポジ型フォトレジストを塗布し、ゲート電極用パターン部のみを露光したのちアンモニア雰囲気中でベーク処理し、次いで、現像して形成した逆メサ状のフォトレジストパターン3を利用してリフトオフすることによってゲート電極5に近接したソース・ドレイン電極9をゲート電極5に対して自己整合的に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子活性領域を形成したのち、ゲート電極用の金属層を全面に堆積し、次いで、全面にポジ型フォトレジストを塗布して、ゲート電極用パターン部のみを露光したのちアンモニア雰囲気中でベーク処理し、次いで、ソース・ドレイン電極の形成領域を露光し、次いで、前記フォトレジストを現像して形成したフォトレジストパターンをマスクとして前記ゲート電極用の金属層をエッチングしてゲート電極を形成し、次いで、オーミック電極用の金属層を堆積したのち、現像液を用いて周辺部に残存するフォトレジストパターンを除去することによって前記周辺部のフォトレジストパターン上の前記オーミック電極用の金属層をリフトオフし、次いで、ゲート電極上に残存するフォトレジストパターンを除去して、その上の前記オーミック電極用の金属層をリフトオフすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872 , H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/48 H , H01L 29/80 H

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