特許

J-GLOBAL ID：200903061818232807

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者： 行徳 明 ,  古賀 直樹 ,  冨安 弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003937
公開番号（公開出願番号）：特開平7-210828
出願日： 1994年01月19日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 縦バイアス層である硬磁性膜の保磁力を高め、永続してバイアス磁界を供給できるので磁区制御を安定して行うことができ、バルクハウゼンノイズの低減を達成できる高性能で信頼性の高いMR効果型薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする。【構成】 下部シールド層3と上部シールド層11との間に横バイアス層5,磁気抵抗効果層7,硬磁性層8,リード層9等を有する再生感知部を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、硬磁性層8が強磁性膜と非磁性膜が交互に積層された3層以上の多層構造を有する硬磁性層8である構成を有している。

請求項（抜粋）：

下部シールド層と上部シールド層との間に横バイアス層,磁気抵抗効果層,硬磁性層,リード層等を有する再生感知部を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記硬磁性層が強磁性膜と非磁性膜が交互に積層された3層以上の多層構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。