特許
J-GLOBAL ID：200903061818537624
高結晶性メソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法、並びにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 長濱 範明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264694
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099384
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】十分な結晶性を有し、細孔の表面の平滑性及び細孔の配向性に優れたメソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法を提供し、さらにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜であって、前記メソポーラスシリカ薄膜のX線回折測定における(100)面を示すピークの強度が50000cps以上であり、かつ前記ピークの半値幅が0.21°以下であることを特徴とする高結晶性メソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法、並びにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜であって、
前記メソポーラスシリカ薄膜のX線回折測定における(100)面を示すピークの強度が50000cps以上であり、かつ前記ピークの半値幅が0.21°以下であることを特徴とする高結晶性メソポーラスシリカ薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (41件)：
4G066AA14D
, 4G066AA22B
, 4G066AB18A
, 4G066BA03
, 4G066BA20
, 4G066BA31
, 4G066FA03
, 4G066FA07
, 4G066FA22
, 4G066FA33
, 4G066FA34
, 4G073BA36
, 4G073BA37
, 4G073BA40
, 4G073BA41
, 4G073BA44
, 4G073BA45
, 4G073BA46
, 4G073BA48
, 4G073BA49
, 4G073BA50
, 4G073BA63
, 4G073BB66
, 4G073BC02
, 4G073BD18
, 4G073BD22
, 4G073CZ54
, 4G073FB41
, 4G073FC23
, 4G073GA03
, 4G073GA08
, 4G073UA01
, 4G073UA06
, 4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BD16
, 4G075CA02
, 4G075CA57
, 4G075FA14
, 4G075FB04
, 4G075FC09
