特許
J-GLOBAL ID：200903061820896348
薄膜トランジスタマトリックス装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118990
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313193
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 Al電極材とシリコンの動作半導体層とのいずれにも相性がよく薄膜トランジスタの特性を劣化させない絶縁膜を有する薄膜トランジスタマトリックス装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 薄膜トランジスタマトリックス装置において、アルミニウムのゲートバスラインと、能動領域を形成するシリコンの動作半導体層との間の絶縁膜を、ゲートバスラインに近い側でアルミニウムの組成比率が高く遠い側でシリコンの組成比率が高くなるように徐々に組成比率が変化する構造で構成した。さらに、薄膜トランジスタマトリックス装置の製造方法において、真空容器内に配置され回転軸を中心に回転可能なドラムの周囲に透明基板を取り付け、ドラムを回転しつつドラムの周囲から真空容器内に複数の異なる成分を含むソースガスを供給できるようにし、ソースガスの成分の組成比率を変化させながら透明基板上に異なる成分が膜厚方向に組成比率勾配を持つように絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板(10)上にバスライン(GB1,GB2,GB3・・・,DB1,DB2,DB3・・・)と薄膜トランジスタ(T11,T12,T13・・・)を形成した薄膜トランジスタマトリックス装置であって、アルミニウムのゲート電極(12)と、前記ゲート電極上に積層され、前記ゲート電極に近い側でアルミニウムの組成比率が高く、遠い側でシリコンの組成比率が高くなるように徐々に組成比率が変化するゲート絶縁膜(13,14,15)と、前記ゲート絶縁膜上に積層され、能動領域を形成するシリコンの動作半導体層(16)とを有する薄膜トランジスタマトリックス装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
