特許
J-GLOBAL ID：200903061824213431
V溝付光導波路基板の製造方法及びその製法により製造されたV溝付光導波路基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096035
公開番号（公開出願番号）：特開平10-288717
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 V溝と光導波路コアとの高い位置精度を実現する。【解決手段】 Siウエハ11上にSiO2 膜14及びコア高さに対応する膜厚のメタル厚膜31を順次形成し、メタル厚膜31をV溝及びコアパターンを有する1枚のフォトマスク35を用いてフォトリソグラフィによりパターニングして、V溝部分36及びコア部分37のメタル厚膜31をエッチング除去する。次に、V溝部分36のSiO2 膜14をエッチング除去した後、Siの異方性エッチングによりV溝13を形成し、コア部分37にポリマーによりコア15を形成する。そして、メタル厚膜31をエッチング除去して、コア15にクラッドをなすポリマー39を塗布する。
請求項（抜粋）：
光導波路に接続される光ファイバを位置決め固定するためのV溝を有するV溝付光導波路基板の製造方法であって、Siウエハ上にアンダークラッド用のSiO2 膜及び光導波路のコア高さに対応する膜厚のメタル厚膜を順次形成し、そのメタル厚膜を、V溝パターンと光導波路のコアパターンとを有する1枚のフォトマスクを用いてフォトリソグラフィによりパターニングして、V溝及び光導波路のコアとなる部分の上記メタル厚膜をエッチング除去し、次に、上記V溝となる部分の上記SiO2 膜をエッチング除去して、上記Siウエハを異方性エッチングすることにより、V溝を形成し、次に、上記コアとなる部分にポリマーを充填してコアを形成した後、上記メタル厚膜をエッチング除去して、そのコアにクラッドをなすポリマーを塗布することを特徴とするV溝付光導波路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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