特許
J-GLOBAL ID：200903061828764432
光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318719
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ZnO/pin層界面、ZnO/基体界面近傍での光励起キャリアーの再結合を抑制し、また開放電圧、短絡電流を向上させ、光電変換効率が向上した光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】 基体上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層,i層,n層)を積層してなる光起電力素子において、前記酸化亜鉛薄膜層は、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有す、c軸配向性の結晶性薄膜であり、且つゲルマニウムを含有し、該ゲルマニウムの含有量が前記基体との界面で最小値をとり、前記pin層に向かって除々に増加していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基体上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層、i層、n層)を積層してなる光起電力素子において、前記酸化亜鉛薄膜層は、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有す、c軸配向性の結晶性薄膜であり、且つゲルマニウムを含有し、該ゲルマニウムの含有量が前記基体との界面で最小値をとり、前記pin層に向かって除々に増加していることを特徴とする光起電力素子。
引用特許：
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