象嵌技法を利用した微細金属パタ-ン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195867
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜,拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。【解決手段】接着膜(glue layer)及び拡散防止膜を順に形成する第1ステップと、上記拡散防止膜上に上記微細パターン領域を定義する絶縁膜パターンを形成する第2ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成する第3ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成する第4ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記拡散防止膜を露出させる第5ステップと、上記蝕刻停止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を選択的に蝕刻する第6ステップとを含む構成とする。

請求項（抜粋）：

象嵌技法を利用した微細パターン形成方法において、接着膜(glue layer)及び拡散防止膜を順に形成する第1ステップと、上記拡散防止膜上に上記微細パターン領域を定義するための絶縁膜パターンを形成する第2ステップと、上記微細パターン領域に金属膜を形成する第3ステップと、上記金属膜上に蝕刻停止膜を形成する第4ステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記拡散防止膜を露出させる第5ステップと、上記蝕刻停止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を選択的に蝕刻する第6ステップと、を含む象嵌技法を利用した微細パターン形成方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-162728
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-265695 出願人：日本電気株式会社
特開平1-208842

審査官引用 (3件)

特開平2-162728
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-265695 出願人：日本電気株式会社
特開平1-208842

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